SRAM代表静态随机存取存储器。它是半导体的一种形式。它广泛用于微处理器、通用计算应用和电子设备。 SRAM 本质上是易失性的，这意味着一旦断电，其中存储的数据就会全部消失。 SRAM由触发器组成。它由 4-6 个晶体管组成，一旦触发器存储了该位，它就会一直存储它，直到将相反的位存储在其中为止。
历史
工程师 John Schmidt 于 1964 年在飞兆半导体公司发明了 SRAM。第一个 SRAM 是 64 位并使用 p 沟道 MOS。
英特尔在其发明五年后的 1969 年发布了其第一款 256 位英特尔 1101 SRAM 芯片。但它使用肖特基 TTL(晶体管-晶体管-逻辑)架构进行构建。
早期的 SRAM 是使用陶瓷塑料制造的。但如今，SRAM 直接集成到 CPU 中，以实现更快更好的处理。
特征
- 数据静态保存：数据静态存储在 SRAM 中，与 DRAM 不同，不需要刷新。
- 它是一种随机存取存储器： SRAM 是一种随机存取存储器。随机存取存储器是可以随机访问(读/写)数据的存储器(意味着可以访问任何存储位置)，而不管之前访问过的存储位置。
- 它使用触发器来存储数据：它使用触发器来存储位。每个触发器由 4-6 个晶体管组成。
- 它用作 CPU 中的高速缓存： SRAM 用作 CPU 的高速缓存，因为它们速度更快并静态存储数据。
优点
- 访问和执行读取和写入等操作的速度更快。
- 可以随机访问数据。
- 它用作高速缓存存储器。
- 它不需要刷新，因为它静态存储数据。
- 它具有中等功耗。与 DRAM 相比，它需要的功率更少。
缺点
- 它是昂贵的。
- 它本质上是易失性的，即当存储器未通电时数据会丢失。
- 它的存储容量很低。
- 无法刷新程序。
- 与 DRAM 相比，它具有更复杂的设计，并且它们的尺寸也更大。