内存中的读写操作

存储单元以称为字的位组存储二进制信息。数据输入线提供要存储到内存中的信息，数据输出线将信息从内存中输出。控制线 Read 和 write 指定数据传输的方向。基本上，在内存组织中，有$2^{l}$内存位置索引从 0 到$2^{l}-1$其中 l 是地址总线。我们可以使用以下公式根据字节来描述内存：

$N = 2^{l} Bytes$
在哪里，
l 是总地址总线
N是以字节为单位的内存

例如，一些存储可以使用上述公式以字节为单位进行描述：

1kB= 210 Bytes
 64 kB = 26 x 210 Bytes
       = 216 Bytes
 4 GB = 22 x 210(kB) x 210(MB) x 210 (GB)
      = 232 Bytes

内存地址寄存器 (MAR)是地址寄存器，用于存储正在执行操作的内存位置的地址。
内存数据寄存器 (MDR)是数据寄存器，用于存储正在执行操作的数据。

1. 内存读取操作：
   存储器读操作将所需的字传送到地址线并激活读控制线。存储器读操作的描述如下：

   

   在上图中最初，MDR 可以包含任何垃圾值，而 MAR 包含 2003 内存地址。执行读指令后，将读取内存位置 2003 的数据，并根据内存位置 2003(3D)的值更新 MDR。

2. 内存写操作：
   存储器写操作将所需字的地址传输到地址线，将要存储在存储器中的数据位传输到数据输入线。然后它激活写控制线。写操作说明如下：

   

   在上图中，MAR 包含 2003，MDR 包含 3D。执行写指令后，3D 将写入 2003 内存位置。