硅可控整流器或半导体可控整流器是四层固态电流控制设备。硅可控整流器的名称是通用电气公司针对可控硅类型的商标名称。

SCR主要用于需要控制高压和大功率的电子设备中。这使得它们适用于中高交流电源操作，例如电动机控制函数。

当施加栅极脉冲时，SCR就像二极管一样导通。它具有形成两个结构的四层半导体，即： NPNP或PNPN。此外，它具有标记为J1，J2和J3的三个结和三个端子(阳极，阴极和栅极)。 SCR的示意图如下所示。

阳极连接到P型，阴极连接到N型，栅极连接到P型，如下所示。

在SCR中，本征半导体是注入了所需掺杂剂的硅。但是，掺杂PNPN结取决于SCR应用。

SCR中的操作模式

• 断开状态(正向阻塞模式) -在此为阳极分配一个正电压，在栅极分配一个零电压(断开)，给阴极分配一个负电压。结果，结点J1和J3处于正向偏置，而J2处于反向偏置。 J2达到其击穿雪崩值并开始导通。低于该值，J1的电阻非常高，因此被称为处于截止状态。

• 导通状态(导电模式) -通过将阳极和阴极之间的电势差增加到雪崩电压以上或在栅极施加正信号，可使SCR进入此状态。 SCR立即开始导通，不再需要栅极电压来维持ON状态，因此通过-将其关断-

• 将流过它的电流减小到称为保持电流的最小值

• 使用跨结放置的晶体管。

• 反向阻断-补偿正向电压的下降。这是由于这样的事实，即需要P1中的低掺杂区域。重要的是要注意，正向和反向阻断的额定电压是相等的。