任何晶体管放大器都使用晶体管放大以三种配置之一连接的信号。对于放大器，最好具有较高的输入阻抗，以避免在多级电路中产生负载效应，并降低输出阻抗，以便向负载提供最大输出。电压增益和功率增益也应该很高，以产生更好的输出。

现在让我们研究不同的配置，以了解哪种配置更适合用作晶体管的放大器。

CB放大器

使用CB配置的晶体管组合形成的放大器电路称为CB放大器。

施工

使用NPN晶体管的公共基极放大器电路如下所示，输入信号施加在发射极基极结点，输出信号取自集电极基极结点。

发射极基极结由V _EE正向偏置，而集电极基极结由V _CC反向偏置。借助电阻Re和R _c调节工作点。因此，I _c ，I _b和I _cb的值由V _CC ，V _EE ，R _e和R _c决定。

操作方式

当不施加任何输入时，将形成静态条件，并且不存在任何输出。当V _be相对于地为负时，对于输入信号的正半部分，正向偏置将减小。结果，基础电流I _B也减小。

下图显示了具有自偏置电路的CB放大器。

我们知道

$$ I_C \ cong I_E \ cong \ beta I_B $$

集电极电流和发射极电流都减小。

R _C两端的电压降为

$$ V_C = I_C R_C $$

该V _C也降低。

随着I _C R _C减少，V _CB增加。这是因为，

$$ V_ {CB} = V_ {CC}-I_C R_C $$

因此，产生正半周期输出。

在CB配置中，正输入产生正输出，因此输入和输出同相。因此，CB放大器的输入和输出之间没有相位反转。

如果考虑使用CB配置进行放大，则它具有低输入阻抗和高输出阻抗。与CE配置相比，电压增益也很低。因此，CB配置的放大器用于高频应用。

CE放大器

使用CE配置的晶体管组合形成的放大器电路称为CE放大器。

施工

使用NPN晶体管的公共发射极放大器电路如下所示，输入信号施加在发射极基极结点，输出信号取自集电极基极结点。

发射极基极结由V _EE正向偏置，而集电极基极结由V _CC反向偏置。工作点借助电阻R _e和R _c进行调节。因此，I _c ，I _b和I _cb的值由V _CC ，V _EE ，R _e和R _c决定。

操作方式

当不施加任何输入时，将形成静态条件，并且不存在任何输出。当施加信号的正一半时，基极和发射极之间的电压V _be增大，因为它相对于地已经为正。

随着正向偏置的增加，基极电流也相应增加。由于I _{C =βIB，}集电极电流也增加。

下图显示了带有自偏置电路的CE放大器。

集电极电流流过R _C时，电压降增加。

$$ V_C = I_C R_C $$

结果，集电极和发射极之间的电压降低。因为，

$$ V_ {CB} = V_ {CC}-I_C R_C $$

因此，放大的电压出现在R _C两端。

因此，在CE放大器中，由于正向信号表现为负向信号，因此可以理解在输入和输出之间存在180 ^°的相移。

CE放大器比CB放大器具有更高的输入阻抗和更低的输出阻抗。 CE放大器中的电压增益和功率增益也很高，因此，它主要用于音频放大器。

CC放大器

使用CC配置的晶体管组合形成的放大器电路称为CC放大器。

施工

使用NPN晶体管的公共集电极放大器电路如下所示，输入信号施加在基极集电极结处，输出信号取自发射极集电极结。

发射极基极结由V _EE正向偏置，而集电极基极结由V _CC反向偏置。 I _b和I _e的Q值由R _b和R _e调整。

操作方式

当不施加任何输入时，将形成静态条件，并且不存在任何输出。当施加信号的正一半时，由于V _be相对于集电极或地为正，因此正向偏置会增加。由此，基极电流I _B和集电极电流I _C增大。

下图显示了具有自偏置电路的CC放大器。

因此，R _e两端的电压降即输出电压增加。结果，获得正半周期。由于输入和输出同相，因此没有相位反转。

如果考虑将CC配置用于放大，尽管CC放大器比CE放大器具有更好的输入阻抗和更低的输出阻抗，但CC的电压增益非常小，这将其应用仅限于阻抗匹配。

CB CE CC放大器之间的比较

让我们比较一下CB，CE和CC放大器的特性细节。

由于兼容性和特性，共发射极配置主要用于放大器电路。