随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）

简介

随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）是计算机中两种常见的存储器类型，二者在计算机的存储器层次结构中分别处于高速缓存和主存的位置。

随机存取存储器（RAM）

随机存取存储器，英文全称为Random Access Memory，简称为RAM。它是计算机中的一种读写存储器，存储器单元可以随机访问，读写速度很快。RAM是易失性存储器，即失去电源时所存储的数据会被清空。RAM通常由DRAM（Dynamic RAM）和SRAM（Static RAM）两种实现方式。

DRAM

DRAM (Dynamic RAM) 是一种动态随机访问存储器，其存储单元是由一个电容器和一个开关构成，使用电荷积累方式来存储数据。DRAM使用电荷积累方式来存储数据，但是容易泄漏，因此需要经常刷新数据，以免数据丢失。DRAM的主要优点是存储密度高，并且比SRAM便宜。

SRAM

SRAM (Static RAM) 是一种静态随机访问存储器，其存储单元由四到六个晶体管构成，使用电平保持方式来存储数据。SRAM读写速度更快，且不需要定期刷新。但是，SRAM的制造成本更高，占用的面积也更大。

只读存储器（ROM）

只读存储器（ROM），英文全称为Read Only Memory，是一种无法被改变的存储器，它通常被用于存储固定的数据或程序。ROM可以被划分为Mask ROM、PROM、EPROM、EEPROM和Flash Memory等几种类型。

Mask ROM

Mask ROM被称作专用只读存储器，由于它只适用于特定的任务，因此在制造时就已经预先定义了存储器中的数据。这意味着，Mask ROM在制造过程中被编程，用户不能通过程序来修改。

PROM

PROM (Programmable ROM) 是可编程只读存储器，它可以通过编程器编程，但只能编写一次，也不能擦除。

EPROM

EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)可以擦除并重新编程的只读存储器。EPROM的使用寿命更短，因为只允许擦除和编程一定数量的次数。EPROM在使用时需要将其取出并进行擦除，再进行编程。

EEPROM

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) 是一种可以通过电子方式擦除并重新编程的只读存储器。EEPROM可以在电脑中直接进行擦除和编程，使用更为方便。

Flash Memory

Flash Memory同EEPROM一样，也是可以擦除并重新编程的只读存储器。Flash Memory相对于EEPROM，编程速度更快，但由于擦除操作需要更长时间，因此在实际应用中需要充分考虑。

总结

本文介绍了计算机存储器中的两种常见存储器：随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。RAM可以在计算机运行时使用，而ROM则是固定的存储器，主要用于存储固定的数据或程序。二者各有优势和劣势，在实际应用中需要根据需要选择合适的存储器。