非易失性存储器(NVM)

非易失性存储器是一种非常先进的存储技术。它不使用连续的电源来将数据或程序文件保留在计算机上，从而使其成为有效的节能器。

系统制造商制造各种用于各种目的的非易失性存储芯片。例如，非易失性存储器可以存储设备的控制器程序代码，例如硬盘驱动器(HDD)和磁盘磁带。其他类型的非易失性存储器(NVM)通常用于将数据保存在USB存储设备，固态驱动器(SSD)或诸如存储卡和智能手机之类的设备中。

固态存储通常使用称为闪存的非易失性存储器类型。 SSD没有移动组件，并且输出能力比HDD和磁带要高，而HDD和磁带要提前使用这些数据来将数据写入磁存储介质。通过PCI Express总线直接连接到设备处理器的SSD，与连接到外部磁盘的基于串行SCSI或基于串行高级技术适配器的SSD相比，提供了更低的延迟。

非易失性存储器的类型

许多其他的NVM存储器类型被广泛用于在商务和个人设备之间读写数据。每种都有自己的优点和缺点。 NAND闪存是数据存储中最常用的类型，它包括几种变体，例如单级单元或每个多级单元一位或每个单元两位；三级单元或每个单元三位和四级单元或每个单元四位。

制造商不断更新NAND闪存技术以降低每位成本。当他们难以扩展具有单层存储单元的二维NAND技术时，他们推出了3D NAND闪存。

技术供应商还继续致力于其他NVMe技术，以最大程度地降低成本，提高效率，提高数据存储容量并减少能耗。

非易失性和易失性存储器有什么区别?

易失性存储器是一种半导体技术，需要连续的电源来维持存储的数据。静态和动态随机存取存储器是瞬态存储器的常见示例。制造商还利用电池电量增加了易失性存储设备的容量，以支持连续数据存储。

公司和客户的计算机系统也使用易失性和非易失性内存技术的混合，每种形式的内存都有其优点和缺点。

例如，SRAM比DRAM更快，后者更适合于高速缓存。 DRAM是SRAM的后继产品，与SRAM处于活动模式相比，其制造成本更低且功耗更低。

非易失性NAND闪存的写入和读取数据比DRAM和SRAM慢。但是，NAND闪存的制造成本低于DRAM和SRAM。它使该技术成为智能手机和企业系统中持久数据存储的完美配对。

NVM与NVMe

非易失性存储器和非易失性存储器这两个词听起来相似，但是它们是不同的并且具有特殊的功能。 NVM是1950年代开发的基于半导体的技术，而NVMe是由技术提供商合作伙伴于2009年创建的主机控制器平台和存储协议。

NVM主机控制器接口工作组于2011年3月1日发布了1.0 NVMe规范。 NVMe旨在通过设备上的PCIe总线加速主机系统和SSD之间的数据传输。 NVMe支持各种非易失性存储器类型，例如NAND闪存以及Intel和Micron 3D XPoint技术。

NVMe是与SAS和SATA驱动器一起使用的常规紧凑型计算机系统接口和高级技术连接的替代产品。与SCSI和ATA命令集相比，非易失性存储器所需的处理指令不到一半。与基于SAS和SATA的SSD相比，基于非易失(NVM)的PCIe SSD具有更低的延迟，更大的IOPS以及更低的功耗。