金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种用于切换电子信号的晶体管。它有四个终端，分别是：源极(S)，漏极(D)，栅极(G)和主体(B).MOSFET的主体通常连接到源极(S)的端子，这导致了类似于其他场效应晶体管的三端子器件(场效应管)。由于这两个主端子通常通过短路互连，因此在电气图中只能看到三个端子。

它是数字和模拟电路中最常见的设备。与常规晶体管相比，MOSFET需要低电流(小于一毫安)才能导通。同时，它可提供超过50安培的高电流负载。

MOSFET的工作

MOSFET具有二氧化硅薄层，可作为电容器的极板。控制栅极的隔离将MOSFET的电阻提高到极高的水平(几乎无限)。

栅极端子被禁止与初级电流通路连接；因此，没有电流泄漏到栅极。

MOSFET以两种主要形式存在-

• 耗尽状态-这需要栅极-源极电压(V _GB )来关闭组件。当栅极为零(V _GB )时，该设备通常为ON，因此，它充当给定逻辑电路的负载电阻。对于具有N型耗尽的加载器件，3V是阈值电压，其中通过将栅极切换为负3V来关闭器件。

• 增强状态-在此状态下需要栅极-源极电压(V _GB )才能接通组件。当栅极为零(V _GB )时，该设备通常处于关闭状态，并且可以通过确保栅极电压高于源极电压来接通。

符号与基本结构

其中， D-排水； G-门; S-来源；和子-基板