铁电随机存取存储器( FRAM )是一种随机存取存储器，它使用铁电电容器来实现其非易失性(电源关闭时内容不会丢失)。材料通常具有很高的价值。最广泛使用的铁电材料是PZT(铅锆钛酸盐)。由于该层是铁电层，因此似乎包含铁，但实际上不包含铁。
FRAM的基本结构与DRAM(动态RAM)相似，唯一的区别是介电层被铁电层代替。为了执行读，写和存储操作，它由位线，字线，晶体管和铁电层组成。
铁电材料的电容是可变的。如果施加电场时开关处于OFF位置，则它以正常的线性方式工作。如果在向铁电晶体层施加电场时开关为ON，则中心原子开始沿电场方向移动。在其路径的某个点，原子超过了能量阈值，导致电荷尖峰。内部电路检测到该电荷尖峰，并设置存储器。现在，如果我们去除电场，则当中心原子停留在其位置时，记忆状态将得以保留。由于保留了内存，因此我们说FRAM是非易失性的。
随机存取存储器(例如，动态RAM，静态RAM)具有以下优点：它具有快速的读/写访问权限，但本质上是易失的，这意味着我们需要恒定的电源来将数据保存在内存中。另一方面，只读存储器(例如EEPROM，FLASH)具有非易失性的优点，但与此同时，与RAM相比，它非常慢。 FRAM结合了两种类型的存储器中的佼佼者，这意味着它是非易失性的，并且具有快速的读/写访问权限。
FRAM的主要功能是：
- 消耗更少的功率。
- 可以忍受辐射。
- 比其他内存类型更安全。
- 对读/写周期具有很高的耐久性。
- 像SRAM一样是可重写的。
- 比磁性存储器便宜。
FRAM的整体性能可以通过以下方式提高：
- 减小尺寸。
- 提高存储密度。
- 改善制造工艺，以使铁电层不易降解。