DDR-SDRAM代表双倍数据速率同步动态随机存取存储器，它是一种在计算机、手机等中用作 RAM 的存储器。这也称为 DDR1 SDRAM。它是用作易失性存储器的集成电路的组合。在DDR之前只有SDRAM，效率不如DDR。 DDR 是一种新技术，可在不增加时钟频率的情况下将传输数据的数据速率提高一倍。 DDR-SDRAM 在时钟信号的前沿和下降沿访问数据。 DDR 的总线传输速率在 266 到 400 MT/s(Mega Transfer Per Second)之间，频率几乎等于 100 MHz 到 400 MHz。
DDR-SDRAM 有四种变体，请参见下面的说明-
| Variant | Clock Frequency | Transfer rate(in MB) |
|---|---|---|
| DDR-200 | 100 to 200 MHz | 1600 MB/s |
| DDR-266 | 133 to 266 MHz | 2100 MB/s |
| DDR-333 | 166 to 333 MHz | 2700 MB/s |
| DDR-400 | 200 to 400 MHz | 3200 MB/s |
历史
SDRAM最初由三星电子于1992年上市。该SDRAM芯片型号为KM48SL2000 ，采用CMOS工艺制作，内存为16MB。然后从 2000 年开始，SDRAM 在现代计算机中变得越来越流行。但它不能同时处理大量数据，数据传输速率不好，因此DDR-SDRAM出现在市场上，
和SDRAM一样，三星电子也在1998年发布了第一款DDR-SDRAM，1997年就展示了原型。该芯片内存为64MB，是SDRAM的两倍。
然后 JEDEC 在 2000 年 6 月通过其 DDR RAM 数据速率标准最终确定了 DDR RAM 规范。这些标准分为两种类型——
JEDEC 是美国的固态技术协会。该标准允许 128 MB 内存。
然后从 2000 年 8 月开始，发布了支持 DDR-SDRAM 的主板。
特征
| Item | Description |
|---|---|
| Type of operation | Synchronous |
| Data transfer rate | 200 to 400 MT/s |
| Clock frequency | 100 to 200 MHz |
| Supply voltage | 2.5V |
| Clock input | Differential clock |
| Burst length | 2, 4, 8 |
| Modules | 184 pin DIMM unbuffered registered and 200-pin SODIMM and 172-pin MicroDIMM |
| Prefetch Bit width | 2 Bit |
| Interface | SSTL_2(Stub Series Terminated Logic) |
| Data strobe | Single data strobe |
| I/O width | x4 or x8 or x16 or x32 |
优点
- 它具有比普通 SDRAM 更高的时钟速度和频率。
- 它在时钟周期的两半期间访问数据。
- DDR 内存总线的时序比 SDR 总线更敏感，因此它比 SDR 更快
- DDR主板的路径布局不必重新设计，基于4层技术的主板将继续足够
- DDR-SDRAM 使用与内存模块的 SDRAM 相同尺寸的 DIMM 板，因此从 SDRAM 模块实现 DDR 并不困难。
- 总线效率比 SDRAM 提高到 85%。
- 它也省电，它只需要 2.5 伏即可运行，而 SDRAM 需要 3.3 到 3.5 伏
- 它的数据传输速率是 SDRAM 的两倍
- 它有很多内存可供使用，因此DDR-SDRAM可以轻松完成大任务。
缺点
- 它不能与旧主板一起使用。
- 芯片和支持的主板成本很高。
- 仅比 SDRAM 平均提高约 5% 的性能。
- 断电时会丢失数据。
- 它不向后兼容
- 它在当地市场上并不广泛，因此进入了国际市场。
- 总线频率高于SDRAM，但效率并不高。