NAND闪存

NAND闪存基于非易失性存储等技术。它不需要持续的电源来保护数据安全。创建NAND闪存的主要原因是使位的成本和使芯片的成本降至最低。可以调高该闪存的成本，使其等于硬盘的价格，以便普通客户可以轻松购买。我们可以轻松地将最大数量的文件存储在硬盘上，但是NAND在闪存中目前无法实现，因为其成本在市场上要高得多。该公司目前在相机，音乐播放器和智能手机中使用NAND闪存。

NAND存储单元由两种栅极类型构成，即控制栅极和浮置栅极。两个门都可以帮助管理数据流。将电压电荷发送到控制栅极以对一个单元进行编程。 NAND闪存供应商包括三星，东芝，英特尔和Western Digital＆Micron Technology。

NAND闪存操作

NAND设置写入周期数。 NAND降级通常是递增的；这个术语称为“磨损”，因为单个电池失效，并且总输出降低。很少有供应商通过提供比实际说明更多的内存来补偿系统，从而提供其系统。

当NAND卡用尽时，用户只需购买一张新卡，系统便可以继续工作。制造公司通过将额外容量的成本转嫁给消费者，大大降低了消费电子产品的价格。

NAND闪存每行只能接受少量的写周期。它提供了易于读取的访问权限，但不如静态ROM或RAM快。该系统具有抗冲击能力，可以承受高温和低温以及浸水，因此在手持设备中的性能要优于硬盘。

NAND闪存的类型

流行的NAND闪存类型包括SLC，MLC，TLC，QLC和3D NAND。区分每种形式的是每个单元使用的位数。每个单元中的位数越多，存储NAND闪存的成本就越低。

SLC单元或单级单元将每个单元存储一位。 SLC具有最大的耐用性，但它也是最昂贵的NAND闪存存储类型。

MLC在每个单元中包含两位。由于擦除和写入的频率是SLC的两倍，因此MLC的耐力要小一些。

TLC在每个单元或三级单元中存储三个位。许多消费者级别的产品将使用它，因为它虽然价格较低，但性能较低。

QLC或四级单元在每个单元中包含四位。 QLC的耐久性要差得多，因此价格也较便宜。

NAND闪存短缺

2016年，NAND闪存出现短缺。短缺的部分原因是需求，但这也归因于供应商从2D或平面NAND制造转向更密集的3D NAND技术。制作3D NAND芯片是一个棘手的过程。

NAND闪存与NOR闪存

NAND和NOR闪存是两种主要的闪存类型，它们的名称来自各自的逻辑门。 NAND闪存以小于计算机的块进行写入和读取，而NOR闪存则读取并自动创建字节。 NOR和NAND闪存的用例包括笔记本电脑和台式计算机，数码相机和音频播放器，制造业以及医疗电子产品。