📅  最后修改于: 2021-01-18 05:04:03             🧑  作者: Mango
半导体是电阻率介于导体和绝缘体之间的物质。电阻率的特性不是唯一将材料确定为半导体的特性,但它具有以下特性。
半导体的电阻率小于绝缘体,而大于导体。
半导体具有负温度系数。半导体中的电阻随着温度的降低而增加,反之亦然。
当向半导体中添加合适的金属杂质时,半导体的导电特性会发生变化,这是非常重要的特性。
半导体器件广泛用于电子领域。晶体管取代了笨重的真空管,从而减小了设备的尺寸和成本,并且这种革命不断加快其步伐,从而导致了诸如集成电子产品的新发明。下图显示了半导体的分类。
在对电子有了一些了解之后,我们知道最外层的外壳具有价电子,这些价电子松散地附着在原子核上。这样的原子在靠近另一个原子时具有价电子,这两个原子的价电子结合形成“电子对”。这种键不是很牢固,因此是共价键。
例如,锗原子具有32个电子。第一轨道有2个电子,第二轨道有8个电子,第三轨道有18个电子,最后一个轨道有4个电子。这4个电子是锗原子的价电子。这些电子趋于与相邻原子的价电子结合,形成电子对,如下图所示。
由于提供给晶体的热能,一些电子倾向于移出它们的位置并破坏共价键。这些断裂的共价键导致自由电子随机游荡。但是被移走的电子在其后面产生一个空的空间或化合价,称为空穴。
代表缺失电子的这个空穴可以被视为单位正电荷,而电子被视为单位负电荷。释放的电子随机移动,但是当施加一些外部电场时,这些电子沿与施加的电场相反的方向移动。但是由于没有电子而产生的空穴沿施加电场的方向移动。
已经知道,当共价键断裂时,会产生一个孔。实际上,半导体晶体很容易形成共价键。因此,晶体中往往不存在孔。通过下图显示半导体晶格可以更好地理解这一点。
电子从位置A移动时会形成空穴。由于形成共价键的趋势,电子从B转移到A。现在,为了平衡B处的共价键,电子又从C转移到B。这继续建立了一条路径。在没有施加电场的情况下,空穴的这种运动是随机的。但是当施加电场时,空穴沿施加的电场漂移,这构成了空穴电流。这被称为空穴电流而不是电子电流,因为空穴的运动有助于电流流动。
电子和空穴处于随机运动状态时,可能会相互碰触,形成一对。这种重组导致热量释放,从而破坏了另一个共价键。当温度升高时,电子和空穴的产生速率增加,因此复合速率增加,这导致电子和空穴的密度增加。结果,半导体的电导率增加而电阻率减小,这意味着负温度系数。
极其纯净的半导体被称为本征半导体。这种纯半导体的特性如下-
为了提高本征半导体的导电能力,最好添加一些杂质。这种添加杂质的过程称为掺杂。现在,这种掺杂的本征半导体被称为非本征半导体。
将杂质添加到半导体材料中的过程称为掺杂。加入的杂质通常是五价和三价杂质。
五价杂质
五价杂质是在最外层轨道上具有五个价电子的那些。示例:铋,锑,砷,磷
五价原子被称为施主原子,因为它向纯半导体原子的导带贡献了一个电子。
三价杂质
三价杂质是在最外层轨道上具有三个价电子的那些。示例:镓,铟,铝,硼
三价原子被称为受体原子,因为它从半导体原子中接受一个电子。
通过掺杂纯半导体形成的不纯半导体称为非本征半导体。根据所添加的杂质的类型,有两种类型的非本征半导体。它们是N型非本征半导体和P型非本征半导体。
将少量五价杂质添加到纯半导体中,以生成N型非本征半导体。添加的杂质具有5个价电子。
例如,如果将砷原子添加到锗原子,则四个价电子与Ge原子结合,而一个电子保留为自由电子。如下图所示。
所有这些自由电子构成电子电流。因此,当杂质添加到纯半导体中时,它提供了用于传导的电子。
在N型非本征半导体中,由于通过电子进行传导,因此电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
由于不添加正电荷或负电荷,因此电子是电中性的。
当向加有五价杂质的N型半导体施加电场时,自由电子向正极移动。这称为负或N型电导率。
将少量的三价杂质添加到纯半导体中,以形成P型非本征半导体。添加的杂质具有3个价电子。例如,如果将硼原子加到锗原子上,则三个价电子与Ge原子相连,形成三个共价键。但是,锗中还有一个电子保留而未形成任何键。由于硼中没有剩余电子可形成共价键,因此该空间被视为空穴。如下图所示。
当少量添加硼杂质时,会提供许多有助于导电的空穴。所有这些空穴构成空穴电流。
在P型非本征半导体中,由于导电是通过空穴进行的,所以空穴是多数载流子,而电子是少数载流子。
此处添加的杂质提供了被称为受体的空穴,因为它们接受锗原子中的电子。
由于活动孔的数量保持与受体数量相等,因此P型半导体保持电中性。
当向加了三价杂质的P型半导体施加电场时,空穴向负电极传播,但其速度比电子慢。这称为P型导电性。
在这种P型导电性中,价电子不同于N型,从一个共价键移动到另一个。
在诸如锗和硅的半导体材料中,用于制造各种电子部件的广泛使用的材料是硅(Si) 。由于许多原因,硅比锗更受青睐-
能带隙为0.7ev,而锗为0.2ev。
热对的产生较小。
SiO2层的形成对硅很容易,这有助于集成技术一起制造许多组件。
在自然界中,硅比锗容易发现。
由Si制成的组件中的噪音要比Ge少。
因此,硅被用于制造许多电子部件,这些电子部件被用于制造用于各种目的的不同电路。这些组件具有各自的属性和特殊用途。
主要电子组件包括-电阻器,可变电阻器,电容器,可变电容器,电感器,二极管,隧道二极管,变容二极管,晶体管,BJT,UJT,FET,MOSFET,LDR,LED,太阳能电池,热敏电阻,压敏电阻,变压器,开关,继电器等