📅  最后修改于: 2021-01-18 05:16:04             🧑  作者: Mango
设计用于某些特殊用途的二极管很少。有许多这样的类型,例如瞬态电压抑制二极管,金掺杂二极管,超级势垒二极管,点接触二极管,珀耳帖二极管等。但是除了这些以外,很少有知名的二极管,它们得到了许多应用。让我们通过它们。
结型二极管的两侧都有两个电位,耗尽区可以用作电介质。因此存在电容。变容二极管是一种特殊情况的二极管,它在反向偏置下工作,其中结电容变化。
变容二极管也称为Vari Cap或Volt Cap 。下图显示了一个反向偏置的变容二极管。
如果施加的反向电压增加,则电介质区域的宽度增加,这会减小结电容。当反向电压减小时,电介质的宽度减小,从而增加了电容。如果该反向电压完全为零,则电容将为最大。
下图显示了用于变容二极管的各种符号,表示其函数。
尽管所有二极管都具有该结电容,但主要制造变容二极管以利用这种效应并增加该结电容的变化。
该二极管具有许多应用,例如-
如果正常PN结的杂质浓度大大增加,则形成该隧道二极管。它的发明者之后又称为Esaki二极管。
当二极管中的杂质浓度增加时,耗尽区的宽度会减小,从而将一些额外的力扩展到电荷载流子以穿过结。当该浓度进一步增加时,由于耗尽区的宽度减小和电荷载流子的能量增加,它们会穿过势垒,而不是越过势垒。这种穿透可以理解为隧道效应,因此称为隧道二极管。
隧道二极管是低功率器件,应小心操作,因为它们容易受到热量和静电的影响。隧道二极管具有特定的VI特性,可以解释其工作原理。让我们看一下下面的图。
考虑二极管处于正向偏置状态。随着正向电压的增加,电流迅速增加,并且一直增加到一个峰值,称为峰值电流,由I P表示。此时的电压称为峰值电压,以V P表示。上图中的A表示该点。
如果电压进一步增加超过V P ,则电流开始减小。它减小直到一个点,称为谷电流,由I V表示。此时的电压称为谷值电压,用V V表示。上图中的B点指示了这一点。
如果电压进一步增加,则电流会像普通二极管一样增加。对于较大的正向电压值,电流会进一步增加。
如果我们认为二极管处于反向偏置状态,那么当反向电压增加时,二极管将充当出色的导体。二极管在这里用作负电阻区域。
隧道二极管有很多应用,例如-
这是一种特殊类型的二极管,其中PN结被金属半导体结代替。普通PN结二极管中的P型半导体被金属代替,N型材料与该金属接合。这种组合在它们之间没有耗尽区。下图显示了肖特基二极管及其符号。
在该肖特基二极管中使用的金属可以是金,银,铂或钨等。同样,对于除了硅之外的半导体材料,砷化镓也是最常用的。
当不施加电压或电路无偏时,N型材料中的电子能级比金属中的电子低。如果二极管随后被正向偏置,则这些N型电子将获得一些能量并以更高的能量移动。因此,这些电子称为热载流子。
下图显示了电路中连接的肖特基二极管。
肖特基二极管有很多优点,例如-
肖特基二极管有很多应用,例如-