JFET的缩写为结型场效应晶体管。 JFET就像普通的FET。 JFET的类型为n沟道FET和P沟道FET。在n沟道FET中将p型材料添加到n型衬底，而在p沟道FET中将n型材料添加到p型衬底。因此，讨论一种类型的FET足以理解两者就足够了。

N沟道场效应管

N沟道FET是最常用的场效应晶体管。为了制造N沟道FET，采用N型半导体的窄条，在其上通过在相对侧上的扩散形成P型材料。将这两个侧面连接起来，为栅极端子绘制一个连接。从下图可以理解。

这两个栅极沉积物(p型材料)形成两个PN二极管。闸门之间的区域称为通道。多数运营商通过此渠道。因此，FET的横截面形式应理解为下图。

在n型半导体条的两端形成欧姆接触，形成源极和漏极。源极和漏极端子可以互换。

N沟道FET的操作

在进入FET之前，应了解耗尽层的形成方式。为此，让我们假设栅极端的电压V _GG被反向偏置，而漏极端的电压V _DD没有施加。假设情况为1。

• 在情况1中，当V _GG被反向偏置并且不施加V _DD时，P层和N层之间的耗尽区趋于扩大。发生这种情况的原因是施加的负电压将空穴从p型层吸引到栅极端子。

• 在情况2中，当施加V _DD (正端子到漏极并且负端子到源极)并且不施加V _GG时，电子从源极流到漏极，构成漏极电流I _D。

现在让我们考虑下图，以了解在同时提供两个耗材时会发生什么。

栅极端的电源使耗尽层增大，漏极端的电压使漏极电流从源极流到漏极端。假设源极端子上的点是B，而漏极端子上的点是A，那么沟道的电阻应为：端子A上的电压降大于端子B上的电压降。

V _A > V _B

因此，电压降在通道的整个长度上是渐进的。因此，在漏极端子处的反向偏置作用比在源极端子处的反向偏置作用更强。这就是为什么同时施加V _GG和V _DD时，耗尽层倾向于在点A处比在点B处更深入通道的原因。下图对此进行了解释。

既然我们已经了解了FET的行为，那么让我们来看一下FET的实际操作。

耗尽操作模式

由于耗尽层的宽度在FET的操作中起着重要作用，因此名称耗尽的工作方式就暗示了这一点。我们还有另一种称为增强操作模式的模式，将在MOSFET的操作中进行讨论。但是JFET仅具有耗尽操作模式。

让我们考虑在栅极和源极端子之间没有施加电势，而在漏极和源极之间施加了电势V _DD 。现在，电流I _D从漏极流向源极端子，随着沟道宽度的增加，电流I _D达到最大值。让施加在栅极和源极端子V _GG之间的电压反向偏置。如上所述，这增加了耗尽宽度。随着层的增加，沟道的横截面减小，因此漏极电流I _D也减小。

当该漏极电流进一步增加时，发生两个耗尽层彼此接触并阻止电流I _D流动的阶段。下图清楚地显示了这一点。

这两个耗尽层在字面上“接触”的电压称为“收缩电压”。表示为VP。此时的漏极电流实际上为零。因此，漏极电流是栅极上反向偏置电压的函数。

由于栅极电压控制着漏极电流，因此FET被称为电压控制器件。从漏极特性曲线可以更清楚地理解这一点。

JFET的漏极特性

让我们尝试总结一下FET的函数，通过它我们可以获得FET漏极的特性曲线。下面给出了获得这些特性的FET电路。

当栅极和源极之间的电压V _GS为零或短路时，由于没有施加V _DS，从源极到漏极的电流I _D也为零。随着漏极和源极V _DS之间的电压增加，从源极到漏极的电流I _D增加。电流的增加线性上升到某个点A ，称为拐点电压。

栅极端子将处于反向偏置状态，并且随着I _D的增加，耗尽区将趋于收缩。该收缩长度不相等，使得这些区域在漏极处更近而在漏极处更远，从而导致夹断电压。夹断电压定义为漏极电流接近恒定值(饱和值)的最小漏极至源极电压。夹断电压发生的点称为夹断点，表示为B。

随着V _DS的进一步增加，沟道电阻也以I _D实际上保持恒定的方式增加。区域BC被称为饱和区域或放大器区域。所有这些以及点A，B和C都绘制在下图中。

针对栅源极电压VGS的不同值，针对漏极电流I _D相对于漏极源极电压V _DS绘制了漏极特性。各种输入电压的总体漏极特性如下所示。

由于负栅极电压控制着漏极电流，FET被称为电压控制器件。漏极特性指示FET的性能。上面绘制的漏极特性用于获得漏极电阻，跨导和放大系数的值。