有许多类型的晶体管在使用中。每个晶体管都专用于其应用。主要分类如下。

主要晶体管是BJT，FET是晶体管的现代版本。让我们看一下BJT。

双极结型晶体管

一个双极结型晶体管(简称为BJT)被称为，因为它具有两个PN结以实现其函数。该BJT只是普通的晶体管。它具有NPN和PNP两种配置。为了方便起见，通常优选NPN晶体管。下图显示了实际的BJT外观。

BJT的类型是NPN和PNP晶体管。通过在两个n型材料之间放置一个p型材料来制成NPN晶体管。通过在两个p型材料之间放置n型材料来制成PNP晶体管。

BJT是电流控制设备。我们在前几章中讨论过的普通晶体管属于此类别。功能，配置和应用程序都相同。

场效应晶体管

FET是三端单极半导体器件。与双极结型晶体管不同，它是一种压控器件。 FET的主要优点是它具有很高的输入阻抗，约为兆欧姆。它具有许多优势，例如低功耗，低散热以及FET是高效器件。下图显示了实际FET的外观。

FET是单极器件，这意味着它是使用p型或n型材料作为主要衬底制成的。因此，FET的电流传导是通过电子或空穴来完成的。

场效应管的特点

以下是场效应晶体管的各种功能。

• 单极-它是单极的，因为空穴或电子负责传导。

• 高输入阻抗-FET中的输入电流由于反向偏置而流动。因此，它具有高输入阻抗。

• 电压控制设备-由于FET的输出电压由栅极输入电压控制，因此FET被称为电压控制设备。

• 噪声低-传导路径中没有结。因此，噪音低于BJT。

• 增益的特征是跨导。跨导是输出电流变化与输入电压变化的比率。

• FET的输出阻抗低。

场效应管的优点

要比BJT更喜欢FET，使用FET而不是BJT应该没有什么优势。让我们尝试总结FET优于BJT的优势。

场效应管的应用

• FET用于电路中以减小负载效应。

• FET用于许多电路，例如缓冲放大器，相移振荡器和电压表。

FET端子

尽管FET是三端子设备，但它们与BJT端子不同。 FET的三个端子是栅极，源极和漏极。 FET中的源极端子类似于BJT中的发射极，而栅极类似于基极，漏极类似于集电极。

NPN和PNP类型的FET的符号如下所示

资源

• 场效应晶体管中的源极端子是载流子进入通道的通道。

• 这类似于双极结型晶体管中的发射极端子。

• 源端子可以指定为S。

• 在源端子上进入通道的电流表示为IS。

门

• 场效应晶体管的栅极端子通过控制流过沟道的电流，在FET的函数中起着关键作用。

• 通过在栅极端子上施加外部电压，可以控制通过它的电流。

• 门是内部连接的两个重掺杂端子的组合。

• 据说通道电导率是由栅极端子调制的。

• 这类似于双极结型晶体管中的基极端子。

• Gate端子可以指定为G。

• 在Gate端进入通道的电流表示为IG。

排水

• 场效应晶体管中的漏极端子是载流子通过该端子离开通道的那个端子。

• 这类似于双极结型晶体管中的集电极端子。

• 漏极至源极电压指定为VDS。

• 漏极端子可以指定为D。

• 在漏极端离开通道的电流表示为I _D。

场效应管类型

FETS有两种主要类型。它们是JFET和MOSFET。下图给出了FET的进一步分类。

在随后的章节中，我们将详细讨论JFET和MOSFET。