提供直流电源用于晶体管的操作。该直流电源被提供给晶体管的两个PN结，这会影响这些发射极和集电极结中多数载流子的作用。

根据我们的要求，结是正向偏置和反向偏置的。正向偏置是将正电压施加到p型而将负电压施加到n型材料的条件。反向偏置是向n型施加正电压而向p型材料施加负电压的条件。

晶体管偏置

提供合适的外部直流电压称为偏置。对晶体管的发射极和集电极结进行正向或反向偏置。

这些偏置方法使晶体管电路可以在四种区域中工作，例如有源区域，饱和区域，截止区域和反向有源区域(很少使用)。可以通过查看下表了解这一点。

在这些区域中，仅与有源区域相反的反向有源区域不适用于任何应用，因此不被使用。

活动地区

这是晶体管具有许多应用的区域。这也称为线性区域。在此区域中的晶体管可以更好地用作放大器。

下图显示了工作在有源区中的晶体管。

该区域位于饱和和截止之间。当发射极结正向偏置而集电极结反向偏置时，晶体管工作在有源区。

在激活状态下，集电极电流为基本电流的β倍，即

$$ I_C = \ beta I_B $$

其中I _C =集电极电流，β=电流放大系数，和I _B =基极电流。

饱和区

这是晶体管趋于充当闭合开关的区域。晶体管的作用是使其集电极和发射极短路。在这种工作模式下，集电极和发射极电流最大。

下图显示了在饱和区工作的晶体管。

当发射极和集电极的结都被正向偏置时，晶体管在饱和区域工作。

在饱和模式下，

$$ \ beta <\ frac {I_C} {I_B} $$

由于在饱和区中，晶体管倾向于充当闭合开关，

$$ I_C = I_E $$

其中， _IC =集电极电流， _IE =发射极电流。

临界区

这是晶体管趋于充当开路开关的区域。晶体管具有其集电极和基极被打开的作用。在这种工作模式下，集电极，发射极和基极电流均为零。

下图显示了在截止区域工作的晶体管。

当发射极和集电极的结都被反向偏置时，晶体管在截止区域工作。

在截止区域，集电极电流，发射极电流和基极电流为零，我们可以写成

$$ I_C = I_E = I_B = 0 $$

其中， _IC =集电极电流， _IE =发射极电流， _IB =基极电流。