JFET中的CS和CD

介绍

JFET(结型场效应管)是一种半导体器件，它是由PN结和一个控制电极组成的。在JFET中，有两种重要的参数：漏极反向漏电电容(CD)和源漏共振电容(CS)。

CS

源漏共振电容(CS)是JFET的一种电容，它常常被用来描述JFET的高频性能，如放大器、振荡器等。CS由JFET内部的结构所决定，具体来说，它跟JFET的控制电极、管子内部的PN结、工作条件等有关。

当JFET处于放大器工作状态时，通常CS是一个变化的值。因此，程序员在选择JFET管子时，需要根据具体的工作条件和需求，选择合适的JFET管子及其相应的CS值。

在JFET的模型中，CS可以用以下公式计算：

CS=2πεR_L/(Wt√2qN_D)

其中，ε是空气电容率，R_L是JFET的负载电阻，Wt是控制电极的宽度，q是元电荷量，N_D是JFET内部PN结的杂质浓度。

CD

漏极反向漏电电容(CD)是JFET的另一种重要参数，它跟JFET的漏电影响因素有关。在JFET的工作过程中，CD主要影响JFET的耗散功率。

当JFET工作点靠近其饱和状态时，CD往往会表现出明显的电阻性。在这种情况下，CD的作用类似一个放大器的负载电阻，它使得JFET的源漏原件的增益变小，JFET的饱和电流也会发生变化。

在JFET的模型中，CD可以用以下公式计算：

CD=(2d/3)*(ε_ox/ε_Si)*W*L

其中，d是JFET的漏极平衡点、ε_ox是氧化物的电容率、ε_Si是硅的电容率、W是管子的宽度、L是漏极的长度。

总结

在JFET中，CS和CD是重要的参数，它们不仅影响JFET的高频性能，还有耗散功率和饱和电流等因素。程序员在选择JFET管子时，需要了解其相应的CS和CD值，根据实际需求选择合适的管子并调整相应的工作条件。