PN结二极管的一个重要的传导限制是漏电流。当二极管反向偏置时，耗尽区的宽度增加。通常，需要这种条件来限制结附近的电流载流子积累。大多数电流载流子主要在耗尽区中被抵消，因此耗尽区用作绝缘体。通常，载流子不通过绝缘体。

可以看出，在反向偏置的二极管中，一些电流流过耗尽区。该电流称为泄漏电流。漏电流取决于少数载流子。众所周知，少数载流子是P型材料中的电子和N型材料中的空穴。

下图显示了二极管反向偏置时电流载体的反应。

以下是观察结果-

• 每种材料的少数载流子被推入耗尽区并到达接合处。该动作导致产生非常小的泄漏电流。通常，泄漏电流很小，可以认为可以忽略不计。

• 在此，在漏电流的情况下，温度起着重要的作用。少数载流子主要取决于温度。

• 在25°C或78°F的室温下，反向偏置二极管中的少数载流子数量可忽略不计。

• 当周围温度升高时，会导致少数载流子的产生显着增加，结果会导致漏电流的相应增加。

在所有反向偏置二极管中，泄漏电流的出现在某种程度上是正常的。在锗和硅二极管，漏电流仅仅是几微安和毫微安，分别。锗比硅更易受温度影响。因此，现代半导体器件中大多使用硅。