金属氧化物半导体场效应晶体管(也称为MOSFET)具有更高的重要性，并且是FET系列的新成员。

它具有轻掺杂的P型衬底，其中扩散了两个高掺杂的N型区域。该设备的独特之处在于其门结构。此处，栅极与通道完全绝缘。将电压施加到栅极时，会产生静电荷。

在这一时间点，不允许电流在器件的栅极区域中流动。同样，栅极是设备的一个区域，上面覆盖有金属。通常，二氧化硅被用作栅极和沟道之间的绝缘材料。由于这个原因，它也被称为绝缘栅FET 。有两种广泛使用的MOSFET：i)耗尽MOSFET ii)增强MOSFET。

MOSFET

下图显示了n沟道D-MOSFET及其符号。栅极以栅极为一个极板形成电容器，另一极板为以SiO ₂层为电介质的沟道。当栅极电压变化时，电容器的电场变化，这又改变了n沟道的电阻。

在这种情况下，我们可以向栅极施加正电压或负电压。当MOSFET以负栅极电压工作时，称为耗尽模式；当以正栅极电压工作时，则称为MOSFET工作的增强模式。

耗尽模式

下图显示了处于耗尽工作模式的n沟道D-MOSFET。

其操作如下-

• 由于栅极为负，并且排斥n通道的电子，因此大多数电子在栅极上均可用。

• 此动作将正离子留在通道的一部分中。换句话说， n沟道的一些自由电子被耗尽。结果，较少数量的电子可用于通过n沟道的电流传导。

• 栅极处的负电压越大，从源极到漏极的电流就越小。因此，我们可以通过改变栅极上的负电压来改变n沟道的电阻以及从源极到漏极的电流。

增强模式

下图显示了增强操作模式下的n沟道D MOSFET。在此，栅极充当电容器。但是，在这种情况下，门为正。它挑起在n沟道中的电子和在n沟道电子的数量增加。

正的栅极电压增强或增加了沟道的电导率。栅极上的正电压越大，从源极到漏极的传导就越大。

因此，我们可以通过改变栅极上的正电压来改变n沟道的电阻以及从源极到漏极的电流。

D – MOSFET的传输特性

下图显示了D-MOSFET的传输特性。

当V _GS变为负值时，I _D降至I _DSS的值以下，直到达到零且V _GS = V _GS (关闭)(耗尽模式)。当V _GS为零时，因为栅极和源极端子短路，所以I _D = I _DSS 。当V _GS为正且MOSFET处于增强模式时，I _D增加到I _DSS的值以上。