单结晶体管就是这样一种晶体管，它具有单个PN结，但仍然没有二极管。与普通晶体管不同，单结晶体管或简称UJT具有发射极和两个基极。该组件因其负电阻特性以及作为张弛振荡器的应用而闻名。

UJT的建设

高电阻的n型硅条被认为形成了基础结构。两端都画有两个欧姆接触，都是基极。铝棒状结构连接到它成为发射器。该发射极靠近基座2，离基座1有点远。这两个连接形成一个PN结。由于存在单个PN结，因此该组件称为单结晶体管。

在棒内部存在称为本征电阻的内部电阻，该电阻的电阻值取决于棒的掺杂浓度。 UJT的结构和符号如下所示。

在符号中，发射器由倾斜的箭头指示，其余两个末端指示基极。由于将UJT理解为二极管和某些电阻的组合，因此可以用等效图表示UJT的内部结构，以解释UJT的工作原理。

UJT的工作

UJT的工作原理可以通过其等效电路来理解。在基极1和2处，施加在发射极上的电压分别表示为V _E和内部电阻分别表示为R _B1和R _B2 。内部存在的两个电阻统称为固有电阻，表示为R _BB 。 RB1两端的电压可以表示为V ₁ 。为电路函数而施加的直流电压为V _BB 。

UJT等效电路如下。

最初，当不施加电压时，

$$ V_E = 0 $$

然后，通过R _B2施加电压V _BB 。二极管D将处于反向偏置状态。二极管两端的电压将为VB，即发射极二极管的势垒电压。由于V _BB的施加，在A点出现了一些电压。因此，总电压将为V _A + V _B。

现在，如果发射极电压V _E增大，则电流I _E流过二极管D。该电流使二极管正向偏置。载流子被感应，电阻R _B1继续减小。因此，R _B1两端的电势也降低了，这意味着V _B1 。

$$ V_ {B1} = \ left(\ frac {R_ {B1}} {R_ {B1} + R_ {B2}} \ right)V_ {BB} $$

由于V _BB是恒定的并且由于沟道的掺杂浓度R _B1减小到其最小值，所以V _B1也减小。

实际上，内部存在的电阻统称为本征电阻，表示为R _BB 。上面提到的电阻可以表示为

$$ R_ {BB} = R_ {B1} + R_ {B2} $$

$$ \ left(\ frac {R_ {B1}} {R_ {BB}} \ right)= \ eta $$

符号η用于表示所施加的总电阻。

因此，V _B1两端的电压表示为

$$ V_ {B1} = \ eta V_ {BB} $$

发射极电压为

$$ V_E = V_D + V_ {B1} $$

$$ V_E = 0.7 + V_ {B1} $$

其中V _D是二极管两端的电压。

当二极管正向偏置时，其两端的电压将为0.7v。因此，这是恒定的，V _B1继续减小。因此，V _E继续下降。它减小到最小值，称为V _V，称为谷值电压。 UJT接通时的电压为峰值电压，表示为V _P。

UJT的VI特征

从下图可以清楚地了解到现在为止讨论的概念。

最初，当V _E为零时，一些反向电流IE流动，直到VE的值达到

$$ V_E = \ eta V_ {BB} $$

这是曲线接触Y轴的点。

当V _E达到电压时

$$ V_E = \ eta V_ {BB} + V_D $$

此时，二极管正向偏置。

此时的电压称为V _P (峰值电压)，而此时的电流称为I _P (峰值电流)。由于UJT处于OFF状态，到目前为止图中的部分称为截止区域。

现在，当V _E进一步增加时，电阻R _B1 ，然后电压V ₁也减小，但是流经它的电流增加。这是负电阻特性，因此该区域称为负电阻区域。

现在，电压V _E达到某个点，在该点上的进一步增加导致R _B1两端的电压增加。此时的电压称为V _V (谷值电压)，而此时的电流称为I _V (谷值电流)。之后的区域称为饱和区域。

UJT的应用

UJT最主要用作张弛振荡器。它们也用于相位控制电路。此外，UJT被广泛用于为数字电路提供时钟，为各种设备提供定时控制，晶闸管中的受控发射以及为CRO中的水平偏转电路提供同步脉冲。