以下是晶体管构造中使用的一些制造技术-

扩散类型

在这种方法中，半导体晶片受到N型和P型杂质的某种气体扩散，从而形成发射极和集电极结。首先，在基极扩散之前确定基极-集电极结并进行光蚀刻。后来，发射器在基体上扩散。用这种技术制造的晶体管具有更好的噪声系数，并且还可以看到电流增益的提高。

成长型

它是通过从熔化的硅或锗中拉出单晶而形成的。在拉晶操作期间添加所需浓度的杂质。

外延型

在相同类型的重掺杂衬底上生长出非常高纯度的硅或锗薄单晶层。这种改进的晶体形式形成了集电极，在其上形成了发射极和基极结。

合金类型

在该方法中，基部由N型材料的薄片制成。在切片的相对侧，附着了两个小铟点，整个成型体在较短的时间内保持高温。该温度将高于铟的熔化温度而低于锗。此技术也称为融合构造。

电化学蚀刻型

在这种方法中，在半导体晶片的相对侧上，蚀刻凹陷以减小基极区的宽度。然后将合适的金属电镀到凹陷区域以形成发射极和集电极的结。