偏置是提供直流电压的过程，有助于电路的功能。晶体管的基础是使发射极-基极结正向偏置，而集电极-基极结反向偏置，以使其保持在有源区内，以用作放大器。

在上一章中，我们说明了如果输入和输出部分都被偏置，则晶体管如何充当良好的放大器。

晶体管偏置

在信号通过期间，零信号集电极电流的适当流动和集电极-发射极电压的适当维持被称为晶体管偏置。提供晶体管偏置的电路称为偏置电路。

需要直流偏置

如果将非常小的电压信号提供给BJT的输入，则无法对其进行放大。因为对于BJT，要放大信号，必须满足两个条件。

• 输入电压超过切入电压为晶体管为ON。

• BJT应该在有源区域中，以用作放大器。

如果通过外部源通过BJT提供适当的DC电压和电流，以使BJT在有源区域中工作并叠加要放大的AC信号，则可以避免此问题。选择给定的DC电压和电流，以使晶体管在整个输入AC周期内保持在有效区域。因此，需要直流偏置。

下图显示了在输入和输出电路上均具有直流偏置的晶体管放大器。

为了使晶体管作为忠实的放大器工作，应稳定工作点。让我们看一下影响工作点稳定的因素。

影响工作点的因素

影响工作点的主要因素是温度。工作点因温度变化而移动。

随着温度升高，I _CE ，β，V _BE的值受到影响。

• 我_CBO得到一倍(每^10Ø上升)
• V _BE下降2.5mv(每上升1 ^o )

因此，影响工作点的主要问题是温度。因此，应使工作点与温度无关，以实现稳定性。为此，引入了偏置电路。

稳定化

使工作点不受温度变化或晶体管参数变化影响的过程称为稳定化。

一旦达到稳定，I _C和V _CE的值就变得与温度变化或晶体管的更换无关。良好的偏置电路有助于稳定工作点。

需要稳定

由于以下原因，必须实现工作点的稳定。

• I _C的温度依赖性
• 个别变化
• 热失控

让我们详细了解这些概念。

I _C的温度依赖性

由于集电极电流的表达式I _C为

$$ I_C = \ beta I_B + I_ {CEO} $$

$$ = \ beta I_B +(\ beta + 1)I_ {CBO} $$

集电极泄漏电流I _CBO受温度变化的影响很大。为此，要设置偏置条件，以使零信号收集器电流I _C = 1 mA。因此，需要稳定工作点，即必须保持I _C恒定。

个别变化

由于每个晶体管的β值和V _BE的值都不相同，因此每当更换晶体管时，工作点就会发生变化。因此有必要稳定工作点。

热失控

由于集电极电流的表达式I _C为

$$ I_C = \ beta I_B + I_ {CEO} $$

$$ = \ beta I_B +(\ beta + 1)I_ {CBO} $$

集电极电流的流动以及集电极泄漏电流也会导致散热。如果工作点不稳定，则会产生累积效应，从而增加散热量。

这种不稳定晶体管的自毁被称为热失控。

为了避免热失控和晶体管的损坏，必须稳定工作点，即保持I _C恒定。

稳定系数

据了解，I _C应该尽管我_CBO或I _CO的变化保持恒定。偏置电路成功维持这种偏置的程度由稳定性因子衡量。用S表示。

根据定义，在恒定的β和I _B时，集电极电流I _C相对于集电极泄漏电流I _CO的变化率称为稳定因数。

$ S = \ frac {d I_C} {d I_ {CO}} $，常数I _B和β

因此，我们可以理解，集电极泄漏电流的任何变化都会在很大程度上改变集电极电流。稳定性因子应尽可能低，以使集电极电流不受影响。 S ＝ 1是理想值。

CE配置的稳定性因子的一般表达式可以如下获得。

$$ I_C = \ beta I_B +(\ beta + 1)I_ {CO} $$

关于I _C区分上述表达式，我们得到

$$ 1 = \ beta \ frac {d I_B} {d I_C} +(\ beta + 1)\ frac {d I_ {CO}} {dI_C} $$

要么

$$ 1 = \ beta \ frac {d I_B} {d I_C} + \ frac {(\ beta + 1)} {S} $$

由于$ \ frac {d I_ {CO}} {d I_C} = \ frac {1} {S} $

要么

$$ S = \ frac {\ beta + 1} {1-\ beta \ left(\ frac {d I_B} {d I_C} \ right)} $$

因此，稳定性因子S取决于β， _IB和_IC 。