一位存储单元(或“基本双稳态”元素)

一位存储单元也称为基本双稳态元素。它具有两个交叉耦合的逆变器，两个输出Q和Q’。之所以称为“双稳态”，是因为基本双稳态元件电路具有两个稳定状态逻辑0和逻辑1。

下图显示了“基本双稳态”元素：

(A) when A=0,
(i) In inverter1, Q = A'= B= 1
(ii)In inverter2, Q' = B' = A = 0

(B) when A=1,
(i) In inverter1, Q = A'= B= 0
(ii)In inverter2, Q' = B' = A = 1 

一些关键点：

1. 2个输出始终是互补的。
2. 该电路具有2个稳定状态。当Q = 1时，它是置位状态。当Q = 0时，为复位状态。
3. 该电路可以存储1位数字信息，因此被称为1位存储单元。
4. 电路中存储的一位信息被锁定或锁存在电路中。该电路也称为锁存器。

1位6晶体管SRAM存储器单元是易失性的。快速的开关速度是它的主要优势。由于其易变性，它需要恒定的电源。对于更快，更密集的存储设备的需求，已经看到忆阻器被提议替代闪存，静态随机存取存储器(SRAM)和随机存取存储器(RAM)。忆阻器的最显着特征是其电阻切换能力，即使没有电源也可以长时间保持电阻状态。

可以使用传输门和忆阻器设计一位非易失性存储单元。忆阻器件具有较高的开关速度，较低的能耗，非易失性和较小的器件尺寸。设计中用作信息存储元件的忆阻器的非易失性在没有电源的情况下可提供长达10年的保持能力。使用的传输门确保电压不会通过存储单元的其他组件丢失，从而通过在忆阻器上提供更大的电势差来提高开关速度。

与基于NAND的闪存设备相比，在存储设备中使用忆阻器的其他优点是其保留期长，出色的耐用性和良好的可伸缩性。

参考：
数字电子– Atul P. Godse，Deepali A. Godse夫人
IEEE XPLORE，数字库–使用忆阻器和传输门的一位非易失性存储单元。