一位存储单元（或基本双稳态元件）

一位存储单元也称为基本双稳态元件。它有两个交叉耦合的反相器，2 个输出 Q 和 Q’。它被称为“双稳态”，因为基本的双稳态元件电路具有两个稳定状态逻辑 0 和逻辑 1。

下图显示了基本双稳态元件：

(A) when A=0,
(i) In inverter1, Q = A'= B= 1
(ii)In inverter2, Q' = B' = A = 0

(B) when A=1,
(i) In inverter1, Q = A'= B= 0
(ii)In inverter2, Q' = B' = A = 1 

一些关键点：

1. 2 个输出总是互补的。
2. 该电路有2个稳定状态。当 Q=1 时，它是设置状态。当 Q=0 时，它是复位状态。
3. 该电路可以存储一位数字信息，因此称为一位存储单元。
4. 存储在电路中的一位信息在电路中被锁定或锁存。该电路也称为锁存器。

一位六晶体管 SRAM 存储单元是易失性的。快速的切换速度是它的主要优势。由于它的波动性，它需要一个恒定的电源。对更快和更密集存储设备的需求已经看到忆阻器被提议作为闪存、静态随机存取存储器 (SRAM) 和随机存取存储器 (RAM) 的替代品。忆阻器最显着的特点是其阻变能力，即使没有电源也能长时间保持电阻状态。

可以使用传输门和忆阻器来设计一位非易失性存储单元。忆阻器件具有高开关速度、低能耗、非易失性和小器件尺寸。在设计中用作信息存储元件的忆阻器的非易失性提供了在没有电源的情况下长达 10 年的保持能力。使用的传输门确保电压不会通过存储单元的其他组件丢失，从而通过在忆阻器两端提供更大的电位差来提高开关速度。

与基于 NAND 的闪存设备相比，在存储设备中使用忆阻器的其他优点是其保留期长、耐用性好和可扩展性好。

参考：
数字电子 – Atul P. Godse, Mrs. Deepali A. Godse
IEEE XPLORE，数字库——使用忆阻器和传输门的一位非易失性存储单元。