多层单元(MLC)

在本主题中，我们将讨论多级单元。多层单元是一种NAND闪存，每个单元可以存储1位以上的数据。 NAND闪存是一种非易失性存储器，可在不加电的情况下存储数据。

企业多层单元和消费者多层单元之间的区别?

多级单元闪存是单级单元闪存和三级单元闪存之间的中心点。 NAND闪存具有有限数量的写入周期。由于多层单元闪存通常比单层单元闪存便宜，因此它是基于消费者的电子设备制造商的首选固态存储。

企业级多层单元驱动器旨在通过改进形式的多层单元闪存来处理更多的写入周期。使用各种方法来允许使用eMLC来为企业设计廉价的固态驱动器。这些方法包括用于提高不可恢复的误码率，闪存过量配置，损耗均衡和写入放大的算法。

多级单元闪存与单级单元闪存相比如何?

多级单元闪存的一个缺点是与NAND闪存和单级单元相比，其比特率更高。一个单元包含的位数越多，它可以处理的写周期就越少，出错的可能性就越大。单级单元闪存使用最佳质量的NAND存储器，每个单元存储1位，但始终处于编程的两个电压状态之一(表示为0和1)。只有两个状态意味着单级单元闪存允许快速数据分析并降低误码率。但是，由于SLC闪存每个单元存储的数据位数较少，因此通常认为它比多级单元闪存更昂贵。

乘以多级单元闪存电压状态的能力降低了制造成本，并增加了在手机，相机和USB闪存驱动器中的技术使用。通常，MLC闪存卡的传输速度较慢，并且会消耗更多功率。多级电池分为四个状态，由电池的电荷度定义。 MLC具有两个级别，MLC-3具有八个级别，而MLC-4具有16个级别。

允许多种电气状态还可能导致多级闪存单元出现更高的错误率。当NAND闪存单元超过其写限制时，它将开始出现故障，从而损坏数据。为此，供应商试图通过开发更智能的闪存控制器来解决该问题。

三层单元：消费者闪存的后继者?

三层闪存单元驱动NAND闪存边界。顾名思义，三级NAND单元每个闪存驱动器保存3位数据。 NAND三层单元利用半导体工艺的几何形状的发展来提供比平面NAND更高的密度。

三级单元闪存的缺点来自对信号串扰进行解码所需的更高的纠错，该信号纠错是由每个正在处理的单元的更多位导致的。作为支持大量读取的企业级闪存技术，三层单元固态硬盘的外观仅有限。

闪存供应商突破了3D NAND技术的界限

领先的闪存供应商正在打破多级单元闪存的限制。 3D NAND闪存是更新的闪存芯片设计架构。制造商将多层存储单元堆叠成3D NAND的垂直结构。堆叠方法消除了在缩小单元尺寸时发生的电干扰。领先的3D NAND闪存生产商包括英特尔公司，三星海力士，SK和东芝的同伴西部多媒体公司。由于与西部数据分支机构SanDisk发生冲突，东芝与Western Digital关系的未来不确定，后者与东芝提出的出售给苹果公司，戴尔技术资源公司，金斯敦技术公司和希捷创新公司的联盟相抗衡。三星已经公开了基于64层3D NAND系统架构的四级单元闪存的初步设计。