晶体管分为三部分-发射极，基极和集电极。

• 基极比发射极薄，集电极比两者都宽。

• 发射极被重掺杂，因此它可以注入大量电荷载流子以进行电流传导。

• 该基极将大多数电荷载流子传递到集电极，因为与发射极和集电极相比，它的掺杂相对轻。

为了使晶体管正常工作，发射极-基极区必须正向偏置，而集电极-基极区必须反向偏置。

在半导体电路中，源极电压称为偏置电压。为了发挥函数，双极晶体管必须使两个结都偏置。这种情况导致电流流过电路。减少了器件的耗尽区，多数电流载流子被注入结。晶体管工作时，其中一个结必须正向偏置，而另一个必须反向偏置。

NPN晶体管的工作

如上图所示，发射极至基极结被正向偏置，而集电极至基极结被反向偏置。发射极到基极结的正向偏置会导致电子从N型发射极流向偏置。该条件确定发射极电流(I _E )。

电子越过P型材料时，往往会与空穴结合(通常很少)，并构成基极电流(I _B )。其余的电子穿过薄的耗尽区并到达集电极区。该电流构成集电极电流(I _C )。

换句话说，发射极电流实际上流过集电极电路。因此，可以认为发射极电流是基极电流和集电极电流之和。可以表示为

I _E = I _B + I _C

PNP晶体管的工作

如下图所示，发射极至基极结被正向偏置，而集电极至基极结被反向偏置。发射极到基极结的正向偏置会导致空穴从P型发射极流向偏置。该条件确定发射极电流(I _E )。

电子越过N型材料时，往往会与电子结合(通常很少)，并构成基极电流(I _B )。其余的空穴穿过薄的耗尽区并到达集电极区。该电流构成集电极电流(I _C )。

换句话说，发射极电流实际上流过集电极电路。因此，可以认为发射极电流是基极电流和集电极电流之和。可以表示为

I _E = I _B + I _C