偏置JFET的方法有两种：自偏置方法和电位分压器方法。在本章中，我们将详细讨论这两种方法。

自偏方法

下图显示了n沟道JFET的自偏置方法。漏极电流流过R _s并产生所需的偏置电压。因此， R _s是偏置电阻。

因此，偏置电阻两端的电压

$$ V_s = I_ {DRS} $$

众所周知，栅极电流很小，栅极端为直流接地，V _G = 0，

$$ V_ {GS} = V_G-V_s = 0-I_ {DRS} $$

或$ V_ {GS} = -I_ {DRS} $

V _GS使栅极对源极负负。

分压器方法

下图显示了偏置JFET的分压器方法。此处，电阻器R ₁和R ₂在漏极电源电压(V _DD )上形成一个分压器电路，它与晶体管偏置中使用的电阻器大致相同。

R ₂两端的电压提供必要的偏置-

$$ V_2 = V_G = \ frac {V_ {DD}} {R_1 + R_2} \次R_2 $$

$ = V_2 + V_ {GS} + I_D + R_S $

或$ V_ {GS} = V_2-I_ {DRS} $

该电路的设计使V _GS始终为负。使用以下公式可以找到工作点-

$$ I_D = \ frac {V_2-V_ {GS}} {R_S} $$

和$ V_ {DS} = V_ {DD}-I_D(R_D + R_S)$