📜  门| GATE CS 2010 |第65章

📅  最后修改于: 2021-06-29 11:43:26             🧑  作者: Mango

使用1M×1位DRAM芯片构建容量为4兆字节的主存储单元。每个DRAM芯片都有1K单元行,每行中有1K单元。单个刷新操作花费的时间为100纳秒。对存储单元中所有单元执行一次刷新操作所需的时间为
(A) 100纳秒
(B) 100×2 10纳秒
(C) 100×2 20纳秒
(D) 3200×2 20纳秒答案: (B)
说明: 4MB MM所需的芯片数=(4 * 2 ^ 20 * 8)/(1 * 2 ^ 20)= 32芯片
在刷新周期中,一次刷新整个存储芯片行。这意味着一次刷新操作的给定时间为100 ns,刷新一行存储芯片。由于有1K = 2 ^ 10这样的行,因此刷新整个芯片的时间将是:2 ^ 10 * 100 ns。

出现第二个问题,如何安排这些芯片,因为可能有许多可能的安排。在问题陈述中提供的逻辑安排为“ 1M x 1位芯片”。这表明要制作“ 1M x 32位”的MM,我们需要将所有32个芯片排成一行。要注意的是,可以在一个刷新周期中刷新所有串联芯片中的一行。这使得刷新4MBytes内存的总时间与一块芯片的总时间相同。因此,刷新MM所需的时间= 100 * 2 ^ 10 ns。

因此,选项(B)是正确的。这个问题的测验