容量为 4 兆字节的主存储单元是使用 1M × 1 位 DRAM 芯片构建的。每个 DRAM 芯片有 1K 行单元，每行 1K 单元。单次刷新操作所需的时间为 100 纳秒。对存储单元中的所有单元进行一次刷新操作所需的时间为
(A) 100 纳秒
(B) 100×2 10纳秒
(C) 100×2 20纳秒
(D) 3200×2 20纳秒答案：(乙)
说明： 4MB MM 所需的芯片数 = (4 * 2^20 * 8) / (1 * 2^20) = 32 个芯片
在一个刷新周期中，一整排内存芯片被一次性刷新。这意味着一次刷新操作的给定时间为 100 ns，刷新一行存储芯片。由于有 1K=2^10 这样的行，刷新整个芯片的时间将是：2^10 * 100 ns。
第二个问题出现了，这些芯片有很多种可能的排列方式。问题陈述本身提供了一个逻辑安排，即“1M x 1 位芯片”。这表明要制作“1M x 32 位”MM，我们需要将所有 32 个芯片排成一行。需要说明的是，所有串联芯片中的一行都可以在一个刷新周期内刷新。这使得刷新 4MBytes 内存的总时间与一个芯片相同。因此，刷新 MM 所需的时间 = 100 * 2^10 ns。
所以，选项(B)是正确的。这个问题的测验